عواملی که بر بازده سلول تاثیر می‌گذارند عبارتند از :
۱) انرژی شکاف بین باند Eg : با افزایش مقدار Eg بر مقدار Voc نیز افزوده می‌شود. اما می‌دانیم که حداکثر مقدار Isc ممکن با افزایش Eg کاهش می‌یابد. در نتیجه می‌توان انتظار داشت که بازده سلول خورشیدی به ازای مقدار معینی Eg به اوج خود می‌رسد.
۲) دما : با افزایش دما کاهش می‌یابد. Isc نسبت به دما حساس نیست اما سبب وابستگی ازده به دما می‌شود. به ازای یک درجه سانتی‌گراد افزایش دما، تقریباً ۴/۰ درصد از Voc در دمای اتاق کاهش می‌یابد از این رو می‌توان فهیمد که بازده نیز به همین اندازه کاهش می‌یابد. برای مثال سلول خورشیدی سیلسیومی که در دمای ۲۰ درجه سانتی‌گراد ۲۰ درصد بازده دارد و در دمای ۱۲۰ درجه سانتی‌گراد حدود ۱۲ درصد بازده خواهد داشت. در مورد گالیوم آرسناید مقدار Voc به ازای هر درجه سانتی‌گراد ۲/۰ درصد کاهش خواهد یافت.
۳) طول عمر باز ترکیب یا حامل اقلیت :
طول عمر زیاد حاملهای اقلیت ما را در رسیدن به Isc زیاد کمک می‌کند. طول عمرهای طولانی، جریان I’ (بدون تابش نور بر سلول) را کاهش می‌دهد و مقدار Voc را افزایش می‌دهند. برای رسیدن به طول عمرهای طولانی باید از تشکیل مراکز بازترکیب در طول آماده سازی مواد و ساخت سلولها جلوگیری کرد.
با استفاده از روش مشکل خارج کردن گازهای بجا مانده و از بین بردن مراکز باز ترکیب می‌توان طول عمر را افزایش داد.
۴) سرعت ترکیب مجدد سطحی : سرعتهای پایین ترکیب مجدد سطحی به افزایش جریان Isc کمک می‌کند. این سرعتها علاوه بر این با کاستن از مقدار I0 ، ولتاژ Vocرا بهبود می‌بخشد.
۵) شدت نور : با فرض اینکه شدت نور خورشید x برابر متمرکز شود، در این صورت توان ورودی بر سطح پیل و Isc هر دو x برابر می‌شود و همچنین Vocنیز افزایش می‌یابد. به این ترتیب توان خروجی بیش از x برابر افزایش می‌یابد. پس با تمرکز نور سفید، بازده افزایش می‌یابد.
۶) چگالی ناخالصی : هر چه چگالی ناخالصی بیشتر باشد، Voc نیز افزایش می‌یابد
